英諾賽科是2015年12月由海歸團隊發起創辦，從事寬禁帶半導體電力電子器件的研發與生產，一期項目位于珠海市國家級高新區，已完成投資10.9億元，建設8英寸增強型硅基氮化鎵外延與芯片大規模量產生產線。公司商業模式將采用IDM全產業鏈模式，打造集研發、設計、外延生長、芯片制造、測試于一體的生產平臺，主要產品包括100V-650V 8英寸硅基氮化鎵外延片、100V-650V氮化鎵功率器件、氮化鎵集成電路。

   硅氮化鎵技術能夠提高功率密度和能效，同時縮小器件尺寸，因此，非常適合用于電視機電源和D類音頻放大器等消費電子產品，服務器和電信設備中使用的SMPS。IHS發布的市場研究報告稱，面向功率半導體的硅基板GaN技術市場，將以高達50%以上的年均復合增長率(CAGR)成長。到2023年，其市場容量將從2014年的1,500萬美元，增至8億美元。