英諾賽科是2015年12月由海歸團(tuán)隊(duì)發(fā)起創(chuàng)辦，從事寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的研發(fā)與生產(chǎn)，一期項(xiàng)目位于珠海市國(guó)家級(jí)高新區(qū)，已完成投資10.9億元，建設(shè)8英寸增強(qiáng)型硅基氮化鎵外延與芯片大規(guī)模量產(chǎn)生產(chǎn)線。公司商業(yè)模式將采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，打造集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試于一體的生產(chǎn)平臺(tái)，主要產(chǎn)品包括100V-650V 8英寸硅基氮化鎵外延片、100V-650V氮化鎵功率器件、氮化鎵集成電路。

   硅氮化鎵技術(shù)能夠提高功率密度和能效，同時(shí)縮小器件尺寸，因此，非常適合用于電視機(jī)電源和D類音頻放大器等消費(fèi)電子產(chǎn)品，服務(wù)器和電信設(shè)備中使用的SMPS。IHS發(fā)布的市場(chǎng)研究報(bào)告稱，面向功率半導(dǎo)體的硅基板GaN技術(shù)市場(chǎng)，將以高達(dá)50%以上的年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)成長(zhǎng)。到2023年，其市場(chǎng)容量將從2014年的1,500萬(wàn)美元，增至8億美元。